系科
SYSCOS INSTRUMENTS
测量内容
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SE5000采用旋转单补偿器光学结构(PSCrA)与旋转起偏器(PrSCA)原理相结合,采用632.8nm半导体激光器,同时采用日本滨松Hamamatsu光电倍增管作为探测器,具有极强的弱光采集性能,采集电压有SE5000软件系统自动升压降压控制,具有及其出色的测量重复性及稳定性,在诸多晶硅电池厂家有出色的应用。
SE-5000 应用内容
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SE-5000 技术优势
褪偏纠正
绒面均具有一定的褪偏效应,无论是具有米氏散射还是具有瑞利散射的绒面,均能自动进行褪偏纠正。
高信噪比
采用日本Hamamatsu 光电倍增管探测器,放大倍率由软件自动控制,可采集极弱光强。
波长扫描式切换
SE-5000可配置单色仪使用,测试波长由用户自由定义,因此,入射光通过光纤引入后可扩展成为波长扫描式全光谱椭偏仪。
相位补偿
SE-5000配置了补偿器,能够使椭偏参数Δ接近0°或180°时依然能够获得出色的测量精度,无测量死角区。
SE-5000 技术规格
波长: | 635nm (半导体激光), (可选 632.8nm JDSU He-Ne激光) |
ψ、△精度: | 0.015°、0.015° (90° 时50次测量标准差) |
长期稳定性: | TanPsi= ±0.005;CosDel= ±0.005(90°超过1小时的测量) |
膜厚精度: | 2Å for 100 nm SiO2 on Si |
折射率精度: | 1x10-3 for 100 nm SiO2 on Si |
厚度范围: | 1nm-200µm |
入射角: | 自动 :7° - 90° (精度0.0072°);手动: 5° - 90°/5° |
自检: | 90°自动校准;包括原始测试波形的自检 |
维护: | 自动的内部维护程序,检查部件是否在正常工作 |
数据库: | 各种电介质、薄膜、晶体及非晶半导体、金属等的NK文件 |
载物台: | 自动对焦(可选),2D Mapping (可选) |
SE-5000 软件及硬件特征
【硬件规格】 |
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微细光斑: |
<<1mm,≈200μm, |
探测器: |
Hamamatsu PMT (单次时间:0.2s ~ 1s) |
入射角: |
35°至90°(步进5°) |
控制系统: |
步进 |
偏振系统: |
格兰-泰勒(发散角<3′;消光比<0.0001) |
载物台: |
单多晶测量直接切换 |
滤光: |
高品质窄带滤波片 |
【软件特征】 |
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功能: |
数据采集及偏振态、折射及厚度数据的分析 建模及拟合处理
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特色: |
自动Excel(或PDF报表)全天候数据监控 可扩展的材料数据库 测试结果的图形反馈 多角度量测 可预先定义简洁的操作模式供工程师使用
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系科仪器
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