系科

SYSCOS INSTRUMENTS

测量内容

  • 膜层厚度（Thickness）；
  • 单点折射率（Refractivity）；
  • 单点消光系数（Extinction coef）；
可拓展成
  • 可变入射角度 激光椭偏仪
  • 在位/ 离位 测量 激光椭偏仪
  • 双波长 激光椭偏仪
  • X-y mapping 激光椭偏仪
 
 
  




SE5000采用旋转单补偿器光学结构（PSCrA）与旋转起偏器（PrSCA）原理相结合，采用632.8nm半导体激光器，同时采用日本滨松Hamamatsu光电倍增管作为探测器，具有极强的弱光采集性能，采集电压有SE5000软件系统自动升压降压控制，具有及其出色的测量重复性及稳定性，在诸多晶硅电池厂家有出色的应用。


 SE5000同时采用全新椭偏算法配合高品质相位补偿的设计方案，以避免普通设计所​具有的死角区，可以获得更出色的原始椭偏参数（ψ,Δ）精度，同时，该算法还能够大大增加了可测膜层的范围及种类。是晶硅太阳能电池测量领域的理想选择。
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椭偏原理

SE-5000 应用内容

应用领域
  • 晶硅电池单层减反层（SiNx）；
  • 双层膜的顶层膜厚及折射率；
  • 硅上的介质膜；
  • 玻璃镀膜（Coatings on glass）；
  • 砷化镓上镀膜；

SE-5000 技术优势





​褪偏纠正

绒面均具有一定的褪偏效应，无论是具有米氏散射还是具有瑞利散射的绒面，均能自动进行褪偏纠正。

高信噪比

采用日本Hamamatsu 光电倍增管探测器，放大倍率由软件自动控制，可采集极弱光强。

波长扫描式切换

SE-5000可配置单色仪使用，测试波长由用户自由定义，因此，入射光通过光纤引入后可扩展成为波长扫描式全光谱椭偏仪。

相位补偿

SE-5000配置了补偿器，能够使椭偏参数Δ接近0°或180°时依然能够获得出色的测量精度，无测量死角区​。

SE-5000 技术规格


     波长：635nm (半导体激光), (可选  632.8nm JDSU He-Ne激光) 
     ψ、△精度： 0.015°、0.015°  (90° 时50次测量标准差)
     长期稳定性： TanPsi= ±0.005；CosDel=  ±0.005(90°超过1小时的测量)
     膜厚精度： 2Å for 100 nm SiO2 on Si
     折射率精度： 1x10-3 for 100 nm SiO2 on Si
     厚度范围： 1nm-200µm
     入射角: 自动 ：7° - 90° （精度0.0072°）；手动： 5° - 90°/5°
     自检： 90°自动校准；包括原始测试波形的自检
     维护： 自动的内部维护程序，检查部件是否在正常工作
     数据库： 各种电介质、薄膜、晶体及非晶半导体、金属等的NK文件
     载物台：自动对焦(可选)，2D Mapping (可选)


SE-5000 软件及硬件特征

【硬件规格】

微细光斑：

<<1mm，≈200μm，

探测器：

Hamamatsu PMT （单次时间：0.2s ~ 1s）

入射角：

35°至90°（步进5°）

控制系统：

步进

偏振系统：

格兰-泰勒（发散角<3′；消光比<0.0001）

载物台：

单多晶测量直接切换

滤光：

高品质窄带滤波片

【软件特征】

功能：

数据采集及偏振态、折射及厚度数据的分析

建模及拟合处理

 

特色：

自动Excel（或PDF报表）全天候数据监控

可扩展的材料数据库

测试结果的图形反馈

多角度量测

可预先定义简洁的操作模式供工程师使用

 


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