技术优势，至始至终


RISE (Rotatable Incidence Spectroscopic Ellipsometry) 采用旋转单补偿器光学结构（PSCrA）与旋转起偏器（PrSCA）原理相结合，具有自动变角功能，代表着系科公司光谱椭偏技术先进水准，历时数年开发测试，具有出色的稳定性。


RISE 可在可见光及近红外波段（其余波段可选）快速采集数据，进行膜厚、折射率、消光系数等光学参量的分析。无论是吸收还是透明衬底，双层膜还是多层膜分析，皆可一键完成。 RISE 能够分析并不理想的样品，如：具有米氏散射或瑞利散射的绒面衬底、具有背板反射的透明衬底、膜层厚度极其薄以及极其厚、非均匀样品等等。RISE 适用于多种领域的薄膜测量：晶硅太阳能电池、薄膜太阳能电池、半导体、微电子、触摸屏及LED等。
优势解答

易于使用，至始至终

 
RISE-Zenith 历经数个版本的改造升级，整体设计符合完美的人机工效性。

ElliSpec含 ”操作模式"及”交互模式 ” 两种模式。所有设置可通过Recipe存储及打开。

ElliSpec 作为RISE-Zenith 的软件，能够一键完成对焦、采集、分析、报告等完整测量流程。

 
 
 
使用  我们的应用材料团队具有丰富的材料分析经验，可向用户提供及时帮助。



波长

350nm - 1000nm (其它可参照RISE谱段范围选择)

ψ、△精度

0.015°、0.015°  (90° 时50次测量标准差)

长期稳定性

TanPsi= ±0.005；CosDel=  ±0.005(90°超过1小时的测量)

膜厚精度

2Å for 100 nm SiO2 on Si

折射率精度

1x10-3 for 100 nm SiO2 on Si

入射角

自动 ：7° - 90° （精度0.0072°）；手动： 5° - 90°/5°

测量时间

一般单次测量 2s

光学结构

PrSCA & PSCrA，采集参数Psi，Del

光学对焦

含自动光学对焦（标准配置）

Mapping

200mm *200mm （标准配置），其余可选

光斑直径

<<1mm, ≈200μm

数据库

各种电介质、薄膜、晶体及非晶半导体、金属等的NK文件；复杂建模模型

探测器

真空制冷，背照式CCD光谱仪

灯源

氙灯，含自动光强优化系统（标准），复合灯源（可选）

维护

自动的内部维护程序，检查部件是否在正常工作

技术规格，型号选择



角度变换

自动变角度7° - 90° （精度0.0072°）、手动变角度 20° - 90°/5°、固定角度70° 

对焦

自动对焦、手动对焦

灯源与光强选择

氘卤复合光源、卤素等光源、氙灯光源、含自动光强选择、不含自动光强选择

分光模式

单色仪分光、光纤光谱仪分光

Mapping选项

无、250mm*250mm、定制Mapping范围

测量方式只有反射式椭偏测量分析、含透射式光谱椭偏测量分析
  


系科

      

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​薄膜检测是我们的事业

我们提供各式膜层属性的检测服务，包括厚度、折射率、反射率、消光系数、透过率、面电阻、Haze等检测内容。

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