系科仪器

SYSCOS INSTRUMENTS

  

技术优势,至始至终


RISE (Rotatable Incidence Spectroscopic Ellipsometry) 采用旋转单补偿器光学结构(PSCrA)与旋转起偏器(PrSCA)原理相结合,具有自动变角功能,代表着系科公司光谱椭偏技术的最高水准,拥有多项核心专利,所有硬件配置均为国际顶尖,历时数年开发测试,具有出色的稳定性。


RISE 可在可见光及近红外波段(其余波段可选)快速采集数据,进行膜厚、折射率、消光系数等光学参量的分析。无论是吸收还是透明衬底,双层膜还是多层膜分析,皆可一键完成。 RISE 能够分析并不理想的样品,如:具有米氏散射或瑞利散射的绒面衬底、具有背板反射的透明衬底、膜层厚度极其薄以及极其厚、非均匀样品等等。RISE 适用于多种领域的薄膜测量:晶硅太阳能电池、薄膜太阳能电池、半导体、微电子、触摸屏及LED等。
 
RISE 光谱椭偏仪均采用系科公司历时数年开发并完善的ElliSpec软件系统。该软件系统几乎具备所有椭偏分析功能,可以说,代表着国内的最高水准。

易于使用,至始至终

 
RISE-Zenith 历经数个版本的改造升级,整体设计符合完美的人机工效性。

ElliSpec含 操作模式"交互模式 ” 两种模式。所有设置可通过Recipe存储及打开。

ElliSpec 作为RISE-Zenith 的软件,能够一键完成对焦、采集、分析、报告等完整测量流程。

 
 
 
使用  我们的应用材料团队具有丰富的材料分析经验,可向用户提供及时帮助。



波长

350nm - 1000nm (其它可参照RISE谱段范围选择)

ψ、△精度

0.015°、0.015°  (90° 时50次测量标准差)

长期稳定性

TanPsi= ±0.005;CosDel=  ±0.005(90°超过1小时的测量)

膜厚精度

2Å for 100 nm SiO2 on Si

折射率精度

1x10-3 for 100 nm SiO2 on Si

入射角

自动 :7° - 90° (精度0.0072°);手动: 5° - 90°/5°

测量时间

一般单次测量 2s

光学结构

PrSCA & PSCrA,采集参数Psi,Del

光学对焦

含自动光学对焦(标准配置)

Mapping

200mm *200mm (标准配置),其余可选

光斑直径

<<1mm, ≈200μm

数据库

各种电介质、薄膜、晶体及非晶半导体、金属等的NK文件;复杂建模模型

探测器

真空制冷,背照式CCD光谱仪

灯源

氙灯,含自动光强优化系统(标准),复合灯源(可选)

维护

自动的内部维护程序,检查部件是否在正常工作

技术规格,型号选择



角度变换

自动变角度7° - 90° (精度0.0072°)、手动变角度 20° - 90°/5°、固定角度7 

对焦

自动对焦、手动对焦

灯源与光强选择

氘卤复合光源、卤素等光源、氙灯光源、含自动光强选择、不含自动光强选择

分光模式

单色仪分光、光纤光谱仪分光

Mapping选项

无、250mm*250mm、定制Mapping范围

测量方式只有反射式椭偏测量分析、含透射式光谱椭偏测量分析
  


  上海系科光电

      

     +86-021-20223339

​薄膜检测是我们的事业

我们提供各式膜层属性的检测服务,包括厚度、折射率、反射率、消光系数、透过率、面电阻、Haze等检测内容

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