系科
SYSCOS INSTRUMENTS
LE-M5采用旋转单补偿器光学结构（PSCrA）与旋转起偏器（PrSCA）原理相结合，采用632.8nm He-Ne激光器或者半导体激光器，能在1S内完成单层镀膜的测量，具有出色的稳定性。
LE-M5 应用内容
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- 可变入射角度 激光椭偏仪
- 在位/ 离位 测量 激光椭偏仪
- 双波长 激光椭偏仪
- X-y mapping 激光椭偏仪
测量内容
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LE-M5 技术优势
相位补偿
LE-M5配置了补偿器，能够使椭偏参数Δ接近0°或180°时依然能够获得出色的测量精度，无测量死角区。
高信噪比
采用高灵敏硅光电探测，放大倍率可自由选择，同时，内置数据采集系统的缓存可有效防止采集数据的丢失。
载物台切换
LE-M5 载物台可一键式实现水平面与倾斜面的自由切换，方便用户在单晶电池与多晶电池的同时测量需求。
褪偏纠正
绒面均具有一定的褪偏效应，无论是具有米氏散射还是具有瑞利散射的绒面，均能自动进行褪偏纠正。
LE-M5 技术规格
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项 |
具体技术规格 |
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波长 |
650nm(半导体激光)，632.8nm(He-Ne激光) |
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长期稳定性 |
TanY = ±0.005；CosD = ±0.005 |
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膜厚精度 |
2 Å for 100 nm SiO2
on Si |
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折射率精度 |
± 2x10-3 for
100 nm SiO2 on Si |
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厚度范围 |
1nm - 3000nm |
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光学设计 |
反射式光路设计延长光程以增加测量精度，即激光经双镜面反射进入各光学器件 |
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起偏器P、检偏器A等光学元件的最佳位置自动跟踪、以及自校准功能 |
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量测时间 |
1S –5S |
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测量方式 |
能一键完成数据采集、数据即时显示、数据分析、结果输出 |
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光斑 |
配置动态可调光阑 |
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探测器 |
高放大倍率硅光电探测器 |
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运动控制 |
集成控制系统基于PCI通讯，具有极快的响应精度及速度 |
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驱动 |
标准二轴驱动 |
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载物台 |
对焦方式：Manually Z |
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软件保护 |
使用ElliSpec软件系统，含USB
Key 软件保护 |
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环境 |
普通光学实验室环境，也可用于无尘室 |
所承诺技术参数完全满足如下技术参数要求：
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波长 |
650nm (半导体激光器)，632.8nm (HeNe激光器)， |
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入射角 |
20-90°(每5°角间隔，精度﹢/- 0.02°) |
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测量反射 |
反射 |
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样品台 |
φ110mm (可配三维样品台) |
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测量方式 |
自动完成信号测量 |
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膜层厚度 |
±0.5nm (薄膜厚度在10-100nm时) |
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角度 |
每5°入射角式多角度变换(精度 ±0.02°) |
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椭偏精度 |
Psi
﹢/- 0.03°，Del ﹢/- 0.05° |
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定标方式 |
自洽、绝对定标 |
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电脑连接 |
PCI |
LE-M5 软件及硬件特征
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【软件特征】 |
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功能： |
数据采集及偏振态、折射及厚度数据的分析 建模及拟合处理
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特色： |
自动Excel（或PDF报表）全天候数据监控 可扩展的材料数据库 测试结果的图形反馈 多角度量测 可预先定义简洁的操作模式供工程师使用
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【硬件规格】 |
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微细光斑： |
<<1mm，≈20μm，能够检测印刷过的电池 |
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探测时间： |
0.2S ~ 1S |
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入射角： |
35°至90°（步进5°） |
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控制系统： |
步进 |
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偏振系统： |
格兰-泰勒（发散角<3′；消光比<0.0001） |
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载物台： |
单多晶测量直接切换 |
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滤光： |
高品质窄带滤波片 |
系科仪器
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薄膜检测是我们的事业
我们提供各式膜层属性的检测服务，包括厚度、折射率、反射率、消光系数、透过率、面电阻、Haze等检测内容。